IT之家 4 月 8 日音问快乐风男 勾引，德国铁电存储器公司（FMC）晓示与半导体企业 Neumonda 达成计谋配合，将在德国德累斯顿缔造新式非易失性存储芯片（FeRAM）出产线。

这是继 2009 年英飞凌、奇梦达德国 DRAM 工场收歇关停后，欧洲初次尝试重启存储芯片原土化出产。

两边这次配合的中枢是 FMC 研发的 "DRAM+" 时代。该时代摄取 10nm 以下制程兼容的铪氧化物（HfO₂）手脚铁电层，替代传统锆钛酸铅 PZT 材料，存储容量从传统 FeRAM 的 4-8MB 擢升至 Gb-GB 级别，同期保握断电不丢失数据的特质。

IT之家注：FeRAM 肖似于 SDRAM，是一种立地存取存储器时代。它使用了一层有铁电性的材料，取代原有的介电质，因此也领有了非蒸发性内存的功能。

FMC 首席现实官 Thomas Rueckes 阐扬称：“铪氧化物的铁电效应将 DRAM 电容滚动为非易失性存储单位，在保握高性能的同期已毕低功耗，十分合乎 AI 运算的握久内存需求。”

配合两边将依托 Neumonda 开垦的 Rhinoe、Octopus、Raptor 三大测试系统，构建从研发到量产的齐备链条。

Neumonda 首席现实官 Peter Poechmueller 暗意：“咱们的终极谋略是重建德国的存储芯片产业，本次配合迈出了要津一步。”

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